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您的位置：首頁(yè) - 產(chǎn)品中心 - 儀表，電子設(shè)備 - napson - WS-3000napson探頭測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻 電阻測(cè)量機(jī)
napson探頭測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻 電阻測(cè)量機(jī)WS-3000的介紹可安裝 4 種探頭的探頭更換機(jī)構(gòu)無(wú)需為每個(gè)測(cè)量樣品更換探頭。通過(guò)雙模式高精度測(cè)量高達(dá) 1mm 的邊緣高速測(cè)量帶來(lái)的成本優(yōu)勢(shì)FOUP 裝載口，兼容 GEM/SECS
產(chǎn)品型號(hào)：WS-3000廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時(shí)間：2023-04-15訪 問(wèn) 量：412
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napson探頭測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻 電阻測(cè)量機(jī)WS-3000的介紹
napson探頭測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻 電阻測(cè)量機(jī)WS-3000的介紹
可安裝 4 種探頭的探頭更換機(jī)構(gòu)無(wú)需為每個(gè)測(cè)量樣品更換探頭。
通過(guò)雙模式高精度測(cè)量高達(dá) 1mm 的邊緣
高速測(cè)量帶來(lái)的成本優(yōu)勢(shì)
FOUP 裝載口，兼容 GEM/SECS
半導(dǎo)體及太陽(yáng)能電池材料（硅、多晶硅、SiC等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬、ITO等）
擴(kuò)散樣品
硅基外延、離子注入樣品
其他（*請(qǐng)聯(lián)系我們）
12英寸
（選項(xiàng)；200mm組合使用）
[薄層電阻] 1m 至 10MΩ/sq
4探針半自動(dòng)玻璃基板薄膜測(cè)量?jī)x
XY軸機(jī)構(gòu)臺(tái)
面內(nèi)多點(diǎn)測(cè)量，均勻間距或隨機(jī)間距設(shè)置選擇，配備2-D/3-D繪圖軟件
半導(dǎo)體及太陽(yáng)能電池材料（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料（碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬、ITO等）
擴(kuò)散樣品硅基薄膜（LTPS等）、IGZO
硅基外延、離子注入樣品
化合物半導(dǎo)體（GaAs、Epi、GaN、Epi、InP、Ga等）
其他（*請(qǐng)聯(lián)系我們）
最大300×300mm（可選；最大500×500mm）
[電阻率（比電阻）] 1 m 至 200 Ω cm
[薄層電阻] 1 m 至 1,000 k Ω/sq（選項(xiàng)；高達(dá) 10 M Ω/sq
具有大電阻測(cè)量范圍的 4 探頭測(cè)量?jī)x
用于圓形/方形測(cè)量的測(cè)量模式可編程和映射軟件
自檢功能、厚度/周邊位置/溫度校正功能（針對(duì)硅）
根據(jù)電阻范圍從 2 種類型的測(cè)試儀中選擇
(RT-3000(S)：寬測(cè)量范圍，RT-3000(H)：高電阻測(cè)量范圍)
半導(dǎo)體及太陽(yáng)能電池材料（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料（碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬、ITO等）
擴(kuò)散樣品
硅薄膜（LTPS等）、IGZO
硅基外延、離子注入樣品
其他（*請(qǐng)聯(lián)系我們）
~8 英寸或 ~156x156mm
?選項(xiàng)（用于大直徑尺寸：型號(hào) RG-3000）：最大 12 英寸，最大 210 x 210 毫米
①RT-3000(S);
[電阻率(電阻率)] 100μ~1MΩ?cm
[方塊電阻] 1m~10MΩ/sq
②RT-3000(H);
[方塊電阻] 10m~1GΩ/sq
4探針半自動(dòng)玻璃基板薄膜測(cè)量?jī)x
XY軸機(jī)構(gòu)臺(tái)
面內(nèi)多點(diǎn)測(cè)量，均勻間距或隨機(jī)間距設(shè)置選擇，配備2-D/3-D繪圖軟件
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2023-11-27
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